认证通过！英伟达批准三星8层HBM3E存储芯片

1月31日消息，据报道，知情人士透露，三星电子已获得批准向英伟达供应其第五代高带宽存储芯片的一个版本。

三星的8层HBM3E（一种较低级的HBM3E品种）据悉于12月获得英伟达的批准。三星和英伟达的代表拒绝置评。

据悉，HBM（High Bandwidth Memory）是一种高带宽内存标准，主要用于满足日益增长的计算需求。相比传统内存，HBM可以提供更高的数据传输速率和更低的延迟。

HBM3E是最新的HBM技术标准，主要用于满足如人工智能、机器学习等对于海量数据处理的需求。

英伟达作为全球领先的AI和深度学习技术提供商，与三星的合作显示了两家企业在技术上的高度契合。通过结合英伟达的计算平台与三星的存储技术，双方将进一步打破计算能力的瓶颈。这种合作不仅将促进更快的AI模型训练和推理，也会让新型应用，如自动驾驶、智能IoT设备等成为可能。

市场研究显示，全球人工智能芯片市场预计将在未来几年内以超过20%的年均增长率增长。这一背景下，英伟达的批准无疑将为三星打开更为广阔的市场前景，使其在高性能计算市场中占据更加重要的地位。